型号: SI2337DS-T1-E3/BKN
功能描述: Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin TO-236 T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 3TO-236
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 80 V
最大连续漏极电流： 1.2 A
RDS -于： 270@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 10 ns
典型上升时间： 15 ns
典型关闭延迟时间： 20 ns
工作温度： -50 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
标准包装： Cut Tape
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