型号:  SI2343DS-T1-GE3

功能描述:  Single P-Channel 30 V 0.053 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-236 (SOT-23)

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  3.1A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  21nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  540pF @ 15V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  750mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  53 毫欧 @ 4A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：  SOT-23-3

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  3.1A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  53mOhms

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs