型号: SI2343DS-T1-GE3
功能描述: Single P-Channel 30 V 0.053 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-236 (SOT-23)
制造商: Vishay
系列: TrenchFET®
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 3.1A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 21nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 540pF @ 15V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 750mW(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 53 毫欧 @ 4A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装形式Package: SOT-23-3
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
连续漏极电流ID: 3.1A
漏源极导通电阻RDS(ON): 53mOhms
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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