型号:  SI2367DS-T1-GE3

功能描述:  Si2367DS Series P-Channel 20 V 66 mOhm 0.96 W Surface Mount Mosfet - TO-236

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  3.8A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  1.8V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  23nC @ 8V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  561pF @ 10V

Vgs（最大值）：  ±8V

功率耗散（最大值）：  960mW（Ta），1.7W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  66 毫欧 @ 2.5A，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：  SOT-23-3

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  20V

连续漏极电流ID：  3.8A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  66mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：  0.4V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs