型号: SI3446DV-T1-E3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 12 V
漏极连续电流: 5.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.045 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
封装: Reel
下降时间: 35 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2 W
上升时间: 50 ns
工厂包装数量: 3000
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 65 ns
零件号别名: SI3446DV-E3
联系人:陈妍
电话:18188616606
联系人:廖S
电话:18570339653
联系人:杨小姐
电话:15875588575
联系人:雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话:13480875861
联系人:王先生
电话:13683302275
联系人:蔡先生,谢小姐
电话:13925253466
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:向冰
电话:18025411752
Q Q:
联系人:卢
电话:82862300
Q Q:
联系人:肖小姐
电话:15361445252