型号: SI3447DV-T1-E3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 12 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: 5.2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.05 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
封装: Reel
下降时间: 75 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2 W
上升时间: 45 ns
工厂包装数量: 3000
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 100 ns
零件号别名: SI3447DV-E3
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈梦，李丽
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：梁昌是
电话：15876982513
Q Q:
联系人：陈先生
Q Q:
联系人：郭声
Q Q:
