型号: SI3460DV-T1
功能描述: MOSFET 20V 6.8A 2W
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
商标: Vishay / Siliconix
Id-连续漏极电流: 6.8 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 27 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.1 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时� 2178 �: 30 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
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