型号: SI3475DV-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 950mA（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 6V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 18nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 500pF @ 50V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 2W（Ta），3.2W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.61 欧姆 @ 900mA，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装形式Package： TSOP
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 200V
连续漏极电流ID： 0.75A
无铅情况/RoHs： 否
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