SI3499DV-T1-GE3规格参数_SI3499DV-T1-GE3全国代理商/分销商

型号: SI3499DV-T1-GE3
功能描述: Single P-Channel 8 V 0.023 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TSOP-6
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 5.3A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 750mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 42nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±5V
功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 23 毫欧 @ 7A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装形式Package： TSOP-6
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 8V
连续漏极电流ID： 5.3A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 23mOhms
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs