型号: SI3590DV-T1
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 77 mOhms, 170 mOhms
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 830 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
封装: Reel
商标: Vishay / Siliconix
通道模式: Enhancement
配置: Dual
下降时间: 12 ns, 15 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 12 ns, 1 2000 5 ns
典型关闭延迟时间: 13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
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