型号: SI3812DV-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 600mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 4nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±12V
FET 功能： 肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）： 830mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 6-TSOP
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈
电话：13088868633
Q Q:
联系人：李生
电话：14706660669
Q Q:
联系人：蔡洁玲
电话：15999659458
Q Q:
