型号: SI3853DV-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 500mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 4nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±12V
FET 功能： 肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）： 830mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 200 毫欧 @ 1.8A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 6-TSOP
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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