型号: SI3867DV-T1
功能描述: MOSFET 20V 5.1A 1.1W
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
商标: Vishay / Siliconix
Id-连续漏极电流: 3.9 A
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 51 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.1 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 31 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 31 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
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