型号:  SI4062DY-T1-GE3

功能描述:  N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  32.1A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.6V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  60nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3175pF @ 30V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  7.8W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  4.2 毫欧 @ 20A，10V

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：  SOIC-8

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  32.1A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  5.5mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：  2.6V

Id-连续漏极电流：  32.1A

Pd-功率耗散：  7.8W

Qg-栅极电荷：  40nC

Rds On-漏源导通电阻：  4.2mOhms

Vds-漏源极击穿电压：  60V

Vgs - 栅极-源极电压：  10V

Vgs th-栅源极阈值电压：  1.4V

上升时间：  6ns

下降时间：  8ns

典型关闭延迟时间：  34ns

典型接通延迟时间：  16ns

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  SO-8

晶体管极性：  N-Channel

晶体管类型：  1N-Channel

最大工作温度：  +150C

最小工作温度：  -55C

正向跨导 - 最小值：  80S

系列：  SI4

通道数量：  1Channel

通道模式：  Enhancement

配置：  Single

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs