型号:  SI4100DY-T1-GE3

功能描述:  Si4100DY Series 100 V 6.8 A 63 mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - SO-8

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  6.8A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  20nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  600pF @ 50V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  2.5W（Ta），6W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  63 毫欧 @ 4.4A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：  SOIC-8

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  100V

连续漏极电流ID：  4.4A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  63mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：  4.5V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs