型号: SI4158DY-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 36.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 132nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5710pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±16V
功率耗散（最大值）： 3W（Ta），6W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 2.5 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 25.8A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 2.5MOhms
无铅情况/RoHs： 否
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：周
电话：13539687799
Q Q:
联系人：戴瑞
电话：18307520622
Q Q:
联系人：余
电话：89752675
Q Q:
