型号:  SI4166DY-T1-GE3

功能描述:  Single N-Channel 30 V 3.9 mOhm 6.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  30.5A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  65nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2730pF @ 15V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  3W（Ta），6.5W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  3.9 毫欧 @ 15A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：  SOIC-8

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  20.5A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  4.5mOhms

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs