型号: SI4214DDY-T1-E3
功能描述: MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 8.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 19.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 22 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 27 S
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 45 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 74 mg
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