型号: SI4356DY-T1-E3
功能描述: Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: Vishay
最大门源电压： ±12
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
通道模式： Enhancement
标准包装名称： SOIC
最低工作温度： -55
渠道类型： N
封装： Tape and Reel
最大漏源电阻： 6@10V
最大漏源电压： 30
每个芯片的元件数： 1
供应商封装形式： SOIC N
最大功率耗散： 1600
最大连续漏极电流： 12
引脚数： 8
铅形状： Gull-wing
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