型号: SI4378DY-T1-E3
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay
系列： SI
单位重量： 187 mg
零件号别名： SI4378DY-E3
商标名： TrenchFET
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 19A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 2.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.8V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 55nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 8500pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±12V
功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 2.7 毫欧 @ 25A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 19A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 27mOhms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：林丽佳
电话：15112531338
Q Q:
联系人：朱先生李女士
电话：13424159278
Q Q:
联系人：林俊升
电话：13410425798
Q Q:
