型号: SI4401BDY-T1
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.3W(Tc) 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 16.1A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 10mΩ @ 10.2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 6.3W(Tc)
类型: P沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：梅良东
电话：13530227631
Q Q:
联系人：黄小姐，唐先生
电话：15889522512
Q Q:
联系人：曾先生
电话：13149949695
Q Q:
