型号:  SI4410BDY-T1

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R

制造商:  vishay / semiconductor

包装：  8SOIC N

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  7.5 A

RDS -于：  13.5@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  10 ns

典型关闭延迟时间：  40 ns

典型下降时间：  15 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  4(Max)

PCB：  8

最大功率耗散：  1400

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最大漏源电阻：  13.5@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SOIC N

标准包装名称：  SOIC

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  5(Max)

引脚数：  8

包装高度：  1.55(Max)

最大连续漏极电流：  7.5

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

单位包：  0

最小起订量：  1