型号: SI4410BDY-T1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / semiconductor
包装： 8SOIC N
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30 V
最大连续漏极电流： 7.5 A
RDS -于： 13.5@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 10 ns
典型关闭延迟时间： 40 ns
典型下降时间： 15 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
最大门源电压： ±20
包装宽度： 4(Max)
PCB： 8
最大功率耗散： 1400
最大漏源电压： 30
欧盟RoHS指令： Not Compliant
最大漏源电阻： 13.5@10V
每个芯片的元件数： 1
最低工作温度： -55
供应商封装形式： SOIC N
标准包装名称： SOIC
最高工作温度： 150
渠道类型： N
包装长度： 5(Max)
引脚数： 8
包装高度： 1.55(Max)
最大连续漏极电流： 7.5
封装： Tape and Reel
铅形状： Gull-wing
单位包： 0
最小起订量： 1
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