型号: SI4425FDY-T1-GE3
功能描述: MOSFET P-CH 30-V (D-S) SO-8
制造商: Vishay Siliconix
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: TrenchFET® Gen IV
零件状态: 有源
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12.7A（Ta），18.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 9.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 41nC @ 10V
Vgs（最大值）: +16V，-20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1620pF @ 15V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.3W（Ta），4.8W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：胡
电话：13725538488
Q Q:
联系人：许记龙
电话：13424422269
Q Q:
联系人：钟林
Q Q:
