型号: SI4427BDY-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 9.7A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 70nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±12V
功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 10.5 毫欧 @ 12.6A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 9.7A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 10.5mOhms
无铅情况/RoHs： 否
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：孙先生
Q Q:
联系人：庄伟涛
电话：13670282511
Q Q:
联系人：陈
电话：18924678670
Q Q:
