型号: SI4433DY
功能描述: P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
制造商: Vishay
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: 2.9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 110 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
下降时间: 30 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.4 W
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 100
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 30 ns
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：王先生
电话：010-82967677
Q Q:
联系人：罗新华
电话：18200906026
Q Q:
联系人：师先生
Q Q:
