型号: SI4435DY-T1-E3
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.2W(Tc) 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 9A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 18mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 4.2W(Tc)
类型: P沟道
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