型号: SI4447ADY-T1-GE3/BKN
功能描述: Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 8SOIC N
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 40 V
最大连续漏极电流： 5.5 A
RDS -于： 45@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 7|44 ns
典型上升时间： 12|33 ns
典型关闭延迟时间： 30|28 ns
典型下降时间： 9|13 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
联系人：洪
电话：13652309457
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：唐伟,吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13530354308
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：18038127335
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：183
Q Q:
