型号: SI4463BDY-T1
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 5.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):19W(Tc) 类型:P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 13A(Tc)
栅源极阈值电压: 1.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 18mΩ @ 5.6A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C): 19W(Tc)
类型: P沟道
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