型号: SI4500BDY-T1-E3/BKN
功能描述: Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/3.8A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 8SOIC N
渠道类型： N|P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 6.6@N Channel|3.8@P Channel A
RDS -于： 20@4.5V@N Channel|60@4.5V@P Channel mOhm
最大门源电压： ±12 V
典型导通延迟时间： 35@N Channel|20@P Channel ns
典型上升时间： 50@N Channel|35@P Channel ns
典型关闭延迟时间： 31@N Channel|55@P Channel ns
典型下降时间： 15@N Channel|35@P Channel ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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Q Q:
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