型号: SI4500BDY
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 6.6 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-Narrow-8
商标: Vishay / Siliconix
通道模式: Enhancement
配置: Dual
下降时间: 50 ns, 35 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 50 ns, 35 ns
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 31 ns, 55 ns
典型接通延迟时间: 35 ns, 20 ns
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陆昆伟
电话：13823377624
Q Q:
联系人：汤浩
电话：13714597827
Q Q:
