型号:  SI4532CDY-T1-G

功能描述:   Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R

制造商:  vishay / semiconductor

包装：  8SOIC N

渠道类型：  N|P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  4.9@N Channel|3.4@P Channel A

RDS -于：  47@10V@N Channel|90@10V@P Channel mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  7@N Channel|16@N Channel|5.5@P Channel|40@P Channel ns

典型上升时间：  12@N Channel|16@N Channel|13@P Channel|40@P Channel ns

典型关闭延迟时间：  14@N Channel|9@N Channel|17@P Channel|20@P Channel ns

典型下降时间：  6@N Channel|9@N Channel|7.7@P Channel|17@P Channel ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel