型号: SI4554DY-T1-GE3
功能描述: MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms, 27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 13.3 nC, 41.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W, 3.2 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: SI4
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 25 S, 27 S
下降时间: 7 ns, 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns, 10 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 16 ns, 50 ns
典型接通延迟时间: 5 ns, 10 ns
单位重量: 506.600 mg
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