型号:  SI4590DY-T1-GE3

功能描述:  MOSFET -100V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  5.6 A, 3.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  57 mOhms, 183 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  11.5 nC, 36 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  3.6 W, 4.2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SI4

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  9 S, 9.3 S

下降时间:  12 ns, 25 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  73 ns, 80 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  14 ns, 42 ns

典型接通延迟时间:  32 ns, 55 ns

单位重量:  506.600 mg