型号:  SI4628DY-T1-GE3

功能描述:  Single N-Channel 30 V 0.003 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

制造商:  Vishay

系列:  SkyFET®，TrenchFET®

FET类型:  N 沟道

技术:  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）:  38A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）:  2.5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:  87nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:  3450pF @ 15V

Vgs（最大值）:  ±20V

功率耗散（最大值）:  3.5W（Ta），7.8W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）:  3 毫欧 @ 20A，10V

工作温度:  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:  表面贴装

封装/外壳:  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package:  SOIC-8

极性Polarity:  N-CH

漏源极击穿电压VDSS:  30V

连续漏极电流ID:  38A

漏源极导通电阻RDS(ON):  2.4mOhms

无铅情况/RoHs:  无铅/符合RoHs