型号: SI4662DY-T1-GE3
功能描述: MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V
制造商: Vishay / Siliconix
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 30 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 12.9 A
导通电阻： 10 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SOIC-8 Narrow
封装： Reel
商标： Vishay / Siliconix
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 3 W
工厂包装数量： 2500
零件号别名： SI4662DY-GE3
ROHS： 含铅
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