型号: SI4688DY-T1-E3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 38nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1580pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 11 毫欧 @ 12A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-SO
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：刘丹
电话：13682527286
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13128815482
Q Q:
联系人：欧高杰
电话：18126237953
Q Q:
