型号: SI4778DY-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 8A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 18nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 680pF @ 13V
Vgs（最大值）： ±16V
功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），5W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 23 毫欧 @ 7A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 25V
连续漏极电流ID： 8A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 23mOhms
无铅情况/RoHs： 否
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：秦
电话：18888241966
Q Q:
联系人：杨德龙
电话：15817289960
Q Q:
联系人：林先生
Q Q:
