SI4800BDY-T1-GE3规格参数_SI4800BDY-T1-GE3全国代理商/分销商

型号: SI4800BDY-T1-GE3
功能描述: Si4800BDY Series N-Channel 30 V 0.0185 Ohm Reduced Qg Fast Switching Mosfet-SO-8
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 6.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.8V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 13nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±25V
功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 18.5 毫欧 @ 9A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 6.5A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 18.5mOhms
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs