型号: SI4810DY-E3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 10 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 13.5 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Tube
下降时间: 18 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 8 ns
典型关闭延迟时间: 45 ns
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：马小姐
电话：13922854643
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：詹小姐
电话：13537778784
Q Q:
联系人：李凤达
电话：13622312261
Q Q:
联系人：陈敏
电话：15818563015
Q Q:
