型号: SI4816BDY-T1-E3/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 8SOIC N
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30 V
最大连续漏极电流： 5.8@Channel 1|8.2@Channel 2 A
RDS -于： 18.5@10V@Channel 1|11.5@10V@Channel 2 mOhm
最大门源电压： 20 V
典型导通延迟时间： 11@Channel 1|13@Channel 2 ns
典型上升时间： 9 ns
典型关闭延迟时间： 24@Channel 1|31@Channel 2 ns
典型下降时间： 9@Channel 1|11@Channel 2 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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Q Q:
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Q Q:
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Q Q:
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Q Q:
