型号: SI4835DDY
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：12.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.6W(Tc) 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 11.6A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 12.5mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 5.6W(Tc)
类型: P沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：刘晓婷
电话：13077811690
Q Q:
联系人：谢威
电话：18778722482
Q Q:
联系人：江小姐
电话：19967567717
Q Q:
