型号: SI4866DY-T1
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 12 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: 17 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 5.5 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 35 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 80 S
栅极电荷 Qg: 21 nC
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.6 W
上升时间: 32 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 82 ns
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