型号: SI4890DY-T1-E3
功能描述: 30V, 11A, 0.012 ohms, SO-8
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 800mV @ 250µA（最小）
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 20nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±25V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 12 毫欧 @ 11A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 11A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 12mOhms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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