型号: SI4900DY-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： 2 个 N 沟道（双）
FET功能： 逻辑电平门
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 5.3A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 58 毫欧 @ 4.3A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 20nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 665pF @ 15V
功率-最大值： 3.1W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SO
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： Dual N
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 4.3A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 58mOhms
无铅情况/RoHs： 否
联系人：李先生
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Q Q:
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Q Q:
联系人：陈敏
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