型号: SI4909DY-T1-GE3/BKN
功能描述: Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / siliconix
包装: 8SOIC N
渠道类型: P
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 40 V
最大连续漏极电流: 6.4 A
RDS -于: 27@10V mOhm
最大门源电压: ±20 V
典型导通延迟时间: 10|42 ns
典型上升时间: 9|40 ns
典型关闭延迟时间: 50|40 ns
典型下降时间: 13|18 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Surface Mount
标准包装: Cut Tape
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