型号: SI4909DY-T1-GE3/BKN
功能描述: Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 8SOIC N
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 40 V
最大连续漏极电流： 6.4 A
RDS -于： 27@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 10|42 ns
典型上升时间： 9|40 ns
典型关闭延迟时间： 50|40 ns
典型下降时间： 13|18 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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