型号: SI4922BDY
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 8.5A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 16mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.1W(Tc)
类型: N沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：颜
电话：13530145723
Q Q:
联系人：连先生
电话：15220060364
Q Q:
联系人：林小姐
Q Q:
