型号: SI4925DY-T1
功能描述: MOSFET 30V 6.1A 2W
制造商: Vishay / Siliconix
产品种类： MOSFET
晶体管极性： P-Channel
汲极/源极击穿电压： 30 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 4.7 A
导通电阻： 32 mOhms
配置： Dual
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SOIC-8 Narrow
封装： Reel
商标： Vishay / Siliconix
下降时间： 20 ns
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 1.1 W
上升时间： 10 ns
工厂包装数量： 2500
商标名： TrenchFET
典型关闭延迟时间： 55 ns
ROHS： 含铅
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