型号: SI4943DY-T1
功能描述: Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / semiconductor
包装： 8SOIC N
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 6.3 A
RDS -于： 19@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 11 ns
典型上升时间： 24 ns
典型关闭延迟时间： 56 ns
典型下降时间： 30 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
最大门源电压： ±20
欧盟RoHS指令： Not Compliant
最高工作温度： 150
标准包装名称： SOIC
最低工作温度： -55
封装： Tape and Reel
最大漏源电阻： 19@10V
最大漏源电压： 20
每个芯片的元件数： 2
供应商封装形式： SOIC N
最大功率耗散： 1100
最大连续漏极电流： 6.3
引脚数： 8
铅形状： Gull-wing
单位包： 0
最小起订量： 1
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：郑
电话：15563751808
Q Q:
联系人：刘小姐
电话：18682281331
Q Q:
联系人：郑东
电话：13751193938
Q Q:
