型号: SI4946EY-E3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 4.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 55 mOhms
配置: Dual
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Tube
下降时间: 11 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.4 W
上升时间: 11 ns
典型关闭延迟时间: 36 ns
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18317142458
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：高小姐
电话：15815599832
Q Q:
联系人：王志
电话：15818509871
Q Q:
联系人：杨年武
电话：13426359399
Q Q:
联系人：林先生
电话：13918834379
Q Q:
联系人：朱军
Q Q:
