型号: SI4949EY
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V, 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 4.5 A, - 5.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.055 Ohms
配置: Dual Dual Drain
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
下降时间: 11 ns, 15 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.4 W
上升时间: 11 ns, 13 ns
工厂包装数量: 100
典型关闭延迟时间: 36 ns, 25 ns
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