型号: SI4955DY
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 3.8 A
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V, - 20 V
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V, 8 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.1 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-Narrow-8
商标: Vishay / Siliconix
通道模式: Enhancement
配置: Dual
下降时间: 22 ns, 85 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 10 ns, 40 ns
典型关闭延迟时间: 30 ns, 125 ns
典型接通延迟时间: 7 ns, 20 ns
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：sam
电话：13924601310
Q Q:
联系人：范妍菲
电话：18928456050
Q Q:
联系人：郭泽楷
电话：19523922960
Q Q:
